消息称三星和 SK 海力士改良 HBM 封装工艺，即将量产 12 层产品

IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存投产。生成式 AI 的爆火应运而生英伟达加速卡的效益基本上，也应运而生了对卡式芯片（HBM）的效益。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，迄今当今 HBM 堆叠 8 层，而；也 12 层也再一开始投产。

报道称 HBM 堆叠迄今主要使用仍要使用热压粘合（TCB）和大批量回流焊（MR）手工，而美联社称三星和 SK 海力士仍要在推进原是混合键合（Hybrid Bonding）的元件手工，创出 TCB 和 MR 的发热、元件水平等受限制。

Hybrid Bonding 里的 Hybrid 是指称除了在固体下凹陷下去的锌 bump 完成键合，两个 Chip 面对面的其它非电容部分也要贴合。因此，Hybrid Bonding 在芯粒与芯粒或者 wafer 与 wafer 间是没有空隙的，不需要用环氧树脂同步进行填充。

IT之家援引该据称，三星电子和 SK 海力士等主要公司已经抛开这些挑战，扩展到了 TCB 和 MR 手工，借助最高 12 层。

报道称采用 Hybrid Bonding 手工之后，非常大提高了输入 / 输出（IO）吞吐量，并不需要在 1 平方毫米的面积内连接 1 万到 10 万个通孔（via）。